Llei 11/1988, de 3 de maig, de Protecció Jurídica de les topografies dels productes semiconductors

Article 1. Definicions

Als efectes de la present Llei, s'entendrà per:

1. Producte semiconductor, la forma final o intermèdia de qualsevol producte: a) constituït per un substrat que inclou una capa de material semiconductor; b) que tingui una o més capes suplementàries de materials conductors, aïllants o semiconductors, disposades en funció d'una estructura tridimensional predeterminada, i c) destinat a exercir, exclusivament o juntament amb altres funcions, una funció electrònica.

2. Topografia d'un producte semiconductor, una sèrie d'imatges interconnectades, sigui quin sigui el mode en que estiguin fixades o codificades: a) que representin l'estructura tridimensional de les capes que composen el producte semiconductor; b) en la qual cada imatge tingui l'estructura o part de l'estructura d'una de les superfícies del producte semiconductor en qualsevol de les seves fases de fabricació.

3. Explotació comercial, la venda, el lloguer, l'arrendament financer o qualsevol altre mètode de distribució comercial, o una oferta amb aquests fins. Als efectes de la definició anterior, no s'hi inclourà l'explotació que es realitzi en condicions de confidencialitat, sempre que no es produeixi distribució a tercers. No obstant això, sí que s'hi inclourà l'explotació que es realitzi en condicions de confidencialitat quan aquestes siguin exigides per raons de seguretat en relació amb aplicacions militars.

Article 2. Requisits de protecció

1. Es protegiran les topografies dels productes semiconductors mitjançant la concessió de drets exclusius, d'acord amb el que estableix la present Llei.

2. La topografia d'un producte semiconductor serà objecte de protecció en la mesura que sigui el resultat de l'esforç intel·lectual del seu creador i no sigui un producte corrent en la indústria de semiconductors. Quan la topografia d'un producte semiconductor estigui constituïda per elements corrents en la indústria de semiconductors, estarà protegida només en la mesura que la combinació de tals elements, com a conjunt, compleixi els requisits esmentats.

Article 3. Dret a la protecció

1. El dret a la protecció pertany a les persones que siguin creadores de les topografies de productes semiconductors, sens perjudici del que disposen els apartats següents.

2. a) El dret a la protecció de les topografies de productes semiconductors, creades pel treballador durant la vigència del seu contracte o relació de treball amb l'empresa, es regirà pel que estableix el títol IV, Invencions Laborals, de la Llei 11/1986, de 20 de març, de Patents. b) El dret a la protecció de les topografies de productes semiconductors, creades en virtut d'un contracte no laboral, correspondrà a la part contractual que hagi encarregat la topografia, llevat que el contracte estipuli el contrari.

3. a) Es beneficiaran de la protecció de la present Llei: les persones físiques esmentades als paràgrafs 1 i 2 que tinguin la nacionalitat d'un Estat membre de la Comunitat Europea o que resideixin habitualment al territori d'un Estat membre, així com les persones jurídiques esmentades al paràgraf 2 que tinguin un establiment industrial o comercial real i efectiu al territori d'un Estat membre de la Comunitat Econòmica Europea. b) Es beneficiaran igualment de la protecció de la present Llei les persones físiques o jurídiques que responguin a les condicions establertes a l'apartat a) del paràgraf 3 d'aquest article, que siguin les primeres a explotar comercialment en un Estat membre una topografia que encara no hagi estat explotada comercialment en cap altre lloc i que hagin rebut, de la persona amb dret a disposar de la topografia, l'autorització per explotar-la comercialment de forma exclusiva a tota la Comunitat.

4. El dret a la protecció s'aplicarà, igualment, en favor dels causahavents de les persones esmentades als paràgrafs anteriors.

Article 4. Registre

1. Perquè la topografia d'un producte semiconductor es beneficiï dels drets exclusius, concedits d'acord amb l'article 2, s'haurà de presentar una sol·licitud de registre davant el Registre de la Propietat Industrial. Reglamentàriament s'establirà la forma i les condicions de la sol·licitud de registre, de la tramitació i resolució d'aquesta, així com de la publicació de l'acord de registre, si s'escau.

La sol·licitud de registre podrà presentar-se igualment a les Direccions Provincials del Ministeri d'Indústria i Energia, llevat que la competència per a l'execució en matèria de propietat industrial correspongui a la Comunitat Autònoma, els òrgans de la qual seran, en aquest cas, els competents per rebre la documentació. En aquests supòsits, la unitat administrativa que hagi rebut la sol·licitud farà constar, mitjançant diligència, el dia, l'hora i el minut de la seva presentació i la trametran al Registre de la Propietat Industrial.

Tant la sol·licitud de registre com la resta de documents que s'hagin de presentar al Registre de la Propietat Industrial hauran d'estar redactats en castellà. A les comunitats autònomes on existeixi també una altra llengua oficial, aquests documents podran redactar-se en dita llengua, i hauran d'anar acompanyats de la corresponent traducció al castellà, que es considerarà autèntica en cas de dubtes entre ambdues.

Aquesta sol·licitud podrà presentar-se abans de començar l'explotació comercial o en un termini màxim de dos anys, comptats a partir de la data de l'inici de dita explotació. Amb la sol·licitud de registre s'haurà de dipositar el material que identifiqui o que representi la topografia, o una combinació d'aquests elements, així com una declaració en document públic referent a la data de la primera explotació comercial de la topografia, quan dita data sigui anterior a la data de sol·licitud de registre.

2. El material dipositat d'acord amb l'apartat anterior no serà accessible al públic quan constitueixi un secret comercial. No obstant això, això no afectarà la revelació d'aquest material, com a conseqüència de resolució judicial o d'altres autoritats competents, a les que siguin part d'un litigi respecte a la validesa o violació dels drets exclusius esmentats a l'article 2.

3. Tota transferència de drets exclusius sobre les topografies de productes semiconductors només produirà efectes enfront de tercers de bona fe, si hagués estat inscrita al Registre de la Propietat Industrial.

4. Les persones amb dret a la protecció de les topografies de productes semiconductors, en virtut del que preveu la present llei, que puguin demostrar que un tercer ha sol·licitat i obtingut el registre d'una topografia sense autorització, podran reivindicar davant els Tribunals la titularitat de la topografia, sens perjudici de qualsevol altre dret o acció que pugui correspondre'ls. L'acció reivindicatòria sols podrà exercitar-se en un termini de dos anys, comptats des de la data de publicació del registre de la topografia del producte semiconductor.

Article 5. Contingut dels drets exclusius

1. Els drets exclusius contemplats a l'article 2 inclouen els d'autoritzar o prohibir els actes següents: a) la reproducció d'una topografia en la mesura que estigui protegida en virtut del paràgraf 2 de l'article 2, llevat la reproducció a títol privat amb fins no comercials; b) l'explotació comercial o la importació amb tal fi d'una topografia o d'un producte semiconductor en la fabricació del qual s'hagi utilitzat la topografia.

2. Els drets exclusius contemplats al paràgraf 1 no s'aplicaran a les reproduccions amb fins d'anàlisi, avaluació o ensenyament dels conceptes, procediments, sistemes o tècniques incorporats en la topografia, o de la pròpia topografia.

3. Els drets exclusius contemplats al paràgraf 1 no s'estendran als actes relatius a una topografia que compleixi els requisits de l'apartat 2 de l'article 2 i la creació de la qual estigui basada en l'anàlisi i l'avaluació d'una altra topografia efectuats d'acord amb l'apartat 2 del present article.

4. Els drets exclusius d'autorització o prohibició dels actes esmentats a l'apartat b) del paràgraf 1 del present article no seran aplicables als actes realitzats a Espanya en relació amb les topografies o productes semiconductors que hagin estat comercialitzats en un Estat membre de la Comunitat Econòmica Europea pel titular dels drets exclusius o amb el seu consentiment.

5. No es podrà impedir a una persona l'explotació comercial d'un producte semiconductor, sempre que en el moment d'adquirir el producte no sàpiga o no tingui motius fonamentats per pensar que el mateix està protegit per un dret exclusiu, concedit d'acord amb el que preveu la present Llei. No obstant l'anterior, pel que fa als actes realitzats després que la persona sàpiga o tingui motius fonamentats per pensar que el producte semiconductor és emparats per tal protecció, el titular del dret podrà exigir davant els Tribunals el pagament d'una remuneració adequada.

6. El que preveu l'apartat anterior s'aplicarà, igualment, als causahavents de la persona esmentada al primer incís del paràgraf.

Article 6. Llicències obligatòries

Els drets exclusius contemplats a l'article 2 podran ser sotmesos a llicències obligatòries quan existeixin motius d'interès públic que ho aconsellin. A aquests efectes, seran d'aplicació els articles 90, 100, 101 i 102 de la Llei 11/1986, de 20 de març, de Patents.

Article 7. Durada de la protecció

1. Els drets exclusius contemplats a l'article 2 naixeran en la primera en el temps de les dates següents: a) Aquella en la qual la topografia ha estat objecte d'explotació comercial per primera vegada en qualsevol lloc del món. b) Aquella en la qual s'hagi presentat la sol·licitud de registre en deguda forma.

2. Els drets exclusius expiraran transcorreguts deu anys, comptats a partir de la primera en el temps de les dates següents: a) La fi de l'any en el qual la topografia ha estat objecte d'explotació comercial per primera vegada en qualsevol lloc del món. b) La fi de l'any en el qual s'hagi presentat la sol·licitud de registre en deguda forma. No obstant això, quedarà sense efecte tot registre relatiu a una topografia que no hagi estat objecte d'explotació comercial en cap lloc del món en el termini de quinze anys, comptats a partir de la data de la seva primera fixació o codificació.

Article 8. Accions per violació dels drets exclusius

1. El titular d'una topografia en virtut de la present Llei podrà exercitar davant els òrgans de la jurisdicció ordinària les accions civils i les mesures previstes al títol VII de la Llei 11/1986, de 20 de març, de Patents.

2. La persona que, tenint dret a la protecció en virtut de l'article 3, pugui provar que un tercer fraudulentament ha reproduït o explotat comercialment o importat amb tal fi una topografia creada per ella, en el període comprès entre la seva primera fixació o codificació i el naixement dels drets exclusius d'acord amb l'apartat 1 de l'article 7, podrà exercitar davant els tribunals la corresponent acció per competència deslleial.

Article 9. Extensió de la protecció

La protecció concedida a les topografies de productes semiconductors, contemplada a l'article 2, sols s'aplicarà a la topografia pròpiament dita amb exclusió de qualsevol altre concepte, procediment, sistema, tècnica o informació codificada incorporats en dita topografia.

Article 10. Signe indicatiu de protecció

Els productes semiconductors fabricats sobre la base de topografies protegides, d'acord amb el que preveu la present Llei, podran dur de manera visible i per informar de l'existència d'aquesta protecció, una indicació consistent en una T majúscula tancada dins d'un cercle.

Article 11. Manteniment d'altres disposicions legislatives

Les disposicions de la present Llei seran aplicables sens perjudici dels drets que reconeixen les vigents disposicions legislatives sobre patents i models d'utilitat.